IPA60R600P7XKSA1, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 4А, 21Вт, TO220FP, CoolMOS™ P7, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор LOW POWER_NEW

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPA60R600P7XKSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2198853

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

2.15

Mounting Type

Through Hole

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

500

Серия

CoolMOS P7

Торговая марка

Infineon Technologies

Id - непрерывный ток утечки

6 A

Pd - рассеивание мощности

21 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220FP-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

IPA60R600 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

Not Applicable

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO220 Full Pack

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

490 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

6A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

363pF @ 400V

Power Dissipation (Max)

21W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 1.7A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 80ВµA

Series

CoolMOSв„ў P7 ->

Qg - заряд затвора

9 nC

Время нарастания

6 ns

Время спада

19 ns

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Типичное время задержки выключения

37 ns

Типичное время задержки при включении

7 ns

Другие названия товара №

IPA60R600P7 SP001618084

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet IPA60R600P7XKSA1 , pdf , 1090 КБ
Datasheet IPA60R600P7XKSA1 , pdf , 876 КБ

IPA60R600P7XKSA1, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 4А, 21Вт, TO220FP, CoolMOS™ P7 - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация