IPA60R385CPXKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 9А, 31Вт, PG-TO220 FullPAK, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 320 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ CP

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPA60R385CPXKSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2178540

Технические параметры

Вес, г

2.16

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.65мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Infineon

Тип корпуса

TO-220

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

4.85мм

Maximum Drain Source Voltage

600 В

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Package Type

TO-220

Width

4.85мм

Pin Count

Серия

CoolMOS CP

Длина

10.65мм

Высота

16.15мм

Размеры

10.65 x 4.85 x 16.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Base Product Number

IPA60R385 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO220-FP

Производитель

Infineon

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

9 А

Максимальное рассеяние мощности

31 Вт

Максимальное сопротивление сток-исток

385 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

790 пФ при 100 В

Тип канала

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

9A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

790pF @ 100V

Power Dissipation (Max)

31W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

385mOhm @ 5.2A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 340ВµA

Maximum Power Dissipation

31 Вт

Series

CoolMOS CP

Maximum Drain Source Resistance

385 мΩ

Transistor Material

Кремний

Channel Mode

Поднятие

Forward Diode Voltage

1.2V

Типичное время задержки выключения

40 нс

Типичное время задержки включения

10 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

17 нКл при 10 В

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Прямое напряжение диода

1.2V

Техническая документация

Datasheet IPA60R385CPXKSA1 , pdf , 613 КБ

IPA60R385CPXKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 9А, 31Вт, PG-TO220 FullPAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 320 руб.

Техническая документация