ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPA60R199CP, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPA60R199CP, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPA60R199CP, Транзистор
Последняя цена
650 руб.
Сравнить
Описание
Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ CP
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IPA60R199CP
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1818855
Технические параметры
Вес, г
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
TO-220FP
Transistor Material
Si
Length
10.65mm
Brand
Infineon
Series
CoolMOS CP
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
32 nC
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Mounting Type
Through Hole
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
16 A
Maximum Power Dissipation
34 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
4.85mm
Height
16.15mm
Maximum Drain Source Resistance
199 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Forward Diode Voltage
1.2V
