ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPA60R190C6XKSA1, Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPA60R190C6XKSA1, Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP T…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPA60R190C6XKSA1, Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Последняя цена
219 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ C6 / C7
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IPA60R190C6XKSA1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2401695
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Ширина
4.85 mm
Высота
16.15 mm
Series
CoolMOSв„ў ->
Минимальная рабочая температура
55 C
Base Product Number
IPA60R190 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
20.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
63nC @ 10V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 100V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Power Dissipation (Max)
34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 9.5A, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
PG-TO220-FP
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 630ВµA
Id - непрерывный ток утечки
20.2 A
Pd - рассеивание мощности
34 W
Qg - заряд затвора
63 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
170 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.5 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
11 ns
Время спада
9 ns
Длина
10.65 mm
Другие названия товара №
IPA60R190C6 IPA6R19C6XK SP000621152
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
CoolMOS
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
500
Серия
CoolMOS C6
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
110 ns
Типичное время задержки при включении
15 ns
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка / блок
TO-220FP-3
Упаковка
Tube
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1231 КБ
Datasheet , pdf
, 1267 КБ