IPA60R180P7SXKSA1, Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 94 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

'Высоковольтные N-канальные полевые МОП-транзисторы семейства CoolMOS P7. Имеют высокие динамические характеристики. Предназначены для AC-DC импульсных источников питания, адаптеров, зарядных устройств, инверторов.
Особенности CoolMOS P7:
лучшее в классе значение FOM (RDS(on) * Eoss);
наименьшее в классе пороговое напряжение включения V(GS)th от 3 В с малым разбросом ± 0.5 В;
электростатическая защита затвора (ESD класс, HBM).
'
Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 650 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 18 А, Сопротивление открытого канала (мин) 180 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPA60R180P7SXKSA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2401578

Технические параметры

Series

CoolMOSв„ў P7 ->

Base Product Number

IPA60R180 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

18A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1081pF @ 400V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

Not Applicable

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-40В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

Power Dissipation (Max)

26W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 5.6A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO220 Full Pack

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 280ВµA

Id - непрерывный ток утечки:

18 A

Pd - рассеивание мощности:

26 W

Qg - заряд затвора:

25 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток:

145 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток:

600 V

Vgs - напряжение затвор-исток:

- 20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :

3 V

Вид монтажа:

Through Hole

Время нарастания:

12 ns

Время спада:

8 ns

Другие названия товара №:

IPA60R180P7S SP001606066

Канальный режим:

Enhancement

Категория продукта:

МОП-транзистор

Количество каналов:

1 Channel

Коммерческое обозначение:

CoolMOS

Конфигурация:

Single

Максимальная рабочая температура:

+ 150 C

Минимальная рабочая температура:

- 40 C

Подкатегория:

MOSFETs

Полярность транзистора:

N-Channel

Производитель:

Infineon

Размер фабричной упаковки:

500

Серия:

CoolMOS P7

Технология:

Тип продукта:

MOSFET

Тип транзистора:

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения:

85 ns

Типичное время задержки при включении:

14 ns

Торговая марка:

Infineon Technologies

Упаковка / блок:

TO-220-3

Упаковка:

Tube

Техническая документация

Datasheet IPA60R180P7SXKSA1 , pdf , 751 КБ
Datasheet IPA60R180P7SXKSA1 , pdf , 764 КБ
Datasheet IPA60R180P7SXKSA1 , pdf , 899 КБ

IPA60R180P7SXKSA1, Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - характеристики, поставщики

Последняя цена 94 руб.

Техническая документация