IPA60R180C7XKSA1, Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 198 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

МОП-транзистор HIGH POWER_NEW

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPA60R180C7XKSA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2412339

Технические параметры

Ширина

4.85 mm

Высота

16.15 mm

Series

CoolMOSв„ў C7 ->

Base Product Number

IPA60R180 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

9A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1080pF @ 400V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

Power Dissipation (Max)

29W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 5.3A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO220-FP

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 260ВµA

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Вид монтажа

Through Hole

Длина

10.65 mm

Другие названия товара №

IPA60R180C7 SP001296216

Категория продукта

МОП-транзистор

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

500

Серия

CoolMOS C7

Технология

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TO-220FP-3

Упаковка

Tube

Техническая документация

Datasheet IPA60R180C7XKSA1 , pdf , 1166 КБ
Datasheet IPA60R180C7XKSA1 , pdf , 1141 КБ

IPA60R180C7XKSA1, Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - характеристики, поставщики

Последняя цена 198 руб.

Техническая документация