IPA60R170CFD7XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ CFD7; полевой; 650В; 5А; Idm: 51А, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 600 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор HIGH POWER_NEW

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPA60R170CFD7XKSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2087541

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

2.11

Mounting Type

Through Hole

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

500

Серия

CoolMOS CFD7

Торговая марка

Infineon Technologies

Id - непрерывный ток утечки

8 A

Pd - рассеивание мощности

26 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220FP-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

IPA60R170 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO220 Full Pack

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

144 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3.5 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

8A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1199pF @ 400V

Power Dissipation (Max)

26W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

170mOhm @ 6A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 300ВµA

Series

CoolMOSв„ў CFD7 ->

Qg - заряд затвора

28 nC

Время нарастания

15 ns

Время спада

9 ns

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Типичное время задержки выключения

68 ns

Типичное время задержки при включении

31 ns

Другие названия товара №

IPA60R170CFD7 SP001617978

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet IPA60R170CFD7XKSA1 , pdf , 1127 КБ
Datasheet IPA60R170CFD7XKSA1 , pdf , 1140 КБ

IPA60R170CFD7XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ CFD7; полевой; 650В; 5А; Idm: 51А - характеристики, поставщики

Последняя цена 600 руб.

Техническая документация