IPA60R120C7XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7А; Idm: 66А; 32Вт; TO220FP, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 880 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор HIGH POWER_NEW

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPA60R120C7XKSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2087697

Технические параметры

Вес, г

Ширина

4.85 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

500

Серия

CoolMOS C7

Торговая марка

Infineon Technologies

Длина

10.65 mm

Высота

16.15 mm

Id - непрерывный ток утечки

11 A

Pd - рассеивание мощности

32 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220FP-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

120 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

34 nC

Время нарастания

7 ns

Время спада

5 ns

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Типичное время задержки выключения

52 ns

Типичное время задержки при включении

10.7 ns

Другие названия товара №

IPA60R120C7 SP001385040

IPA60R120C7XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7А; Idm: 66А; 32Вт; TO220FP - характеристики, поставщики

Последняя цена 880 руб.