IPA60R099P6XKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 37,9А, 34Вт, PG-TO220 FullPAK, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 640 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор HIGH POWER PRICE/PERFORM

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPA60R099P6XKSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2185951

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

2.15

Mounting Type

Through Hole

Ширина

4.85 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

500

Серия

CoolMOS P6

Торговая марка

Infineon Technologies

Длина

10.65 mm

Высота

16.15 mm

Id - непрерывный ток утечки

37.9 A

Pd - рассеивание мощности

34 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

IPA60R099 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO220-FP

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

89 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3.5 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

37.9A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3330pF @ 100V

Power Dissipation (Max)

34W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

99mOhm @ 14.5A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 1.21mA

Series

CoolMOSв„ў P6 ->

Qg - заряд затвора

70 nC

Время нарастания

10 ns

Время спада

5 ns

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Типичное время задержки выключения

50 ns

Типичное время задержки при включении

20 ns

Другие названия товара №

IPA60R099P6 SP001114654

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 2270 КБ
Datasheet IPA60R099P6XKSA1 , pdf , 2607 КБ

IPA60R099P6XKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 37,9А, 34Вт, PG-TO220 FullPAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 640 руб.

Техническая документация