ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPA60R099C7XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8А; Idm: 83А; 33Вт; TO220FP - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPA60R099C7XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8А; Idm: 83А; 3…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IPA60R099C7XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8А; Idm: 83А; 33Вт; TO220FP
Последняя цена
1020 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
МОП-транзистор HIGH POWER_NEW
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IPA60R099C7XKSA1
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2087709
Технические параметры
Вес, г
2
Ширина
4.85 mm
Категория продукта
МОП-транзистор
Размер фабричной упаковки
500
Серия
CoolMOS C7
Торговая марка
Infineon Technologies
Длина
10.65 mm
Высота
16.15 mm
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Вид монтажа
Through Hole
Упаковка / блок
TO-220FP-3
Подкатегория
MOSFETs
Тип продукта
MOSFET
Упаковка
Tube
Технология
Si
Коммерческое обозначение
CoolMOS
Другие названия товара №
IPA60R099C7 SP001297996
