IPA50R140CPXKSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 500В, 23А, 34Вт, Ugs ±20В, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 580 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

• Самый низкий показатель качества Ron x Qg
• Экстремальная скорость dV / dt
• Сверхнизкое RDS (ON), очень быстрое переключение
• Vth 3 В, g fs очень высокое, внутреннее R g очень низкий
• Значительное снижение потерь проводимости и коммутации
• Лучшее в своем классе соотношение производительности
• Соответствует требованиям JEDEC для целевых приложений
• Экологичное устройство

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPA50R140CPXKSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

1251618

Технические параметры

Вес, г

2.16

Конфигурация транзистора

одинарный

Brand

infineon

Тип корпуса

TO-220FP

Mounting Type

Through Hole

Ширина

4.85мм

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Серия

CoolMOS CP

Длина

10.65мм

Высота

9.83мм

Размеры

10.65 x 4.85 x 9.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Base Product Number

IPA50R140 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO220-FP

Производитель

Infineon

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

23 А

Максимальное рассеяние мощности

34 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Максимальное сопротивление сток-исток

140 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

550 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

2540 пФ при 100 В

Тип канала

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

23A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2540pF @ 100V

Power Dissipation (Max)

34W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 14A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 930ВµA

Series

CoolMOSв„ў ->

Типичное время задержки выключения

80 нс

Типичное время задержки включения

35 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

48 нКл при 10 В

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5v

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5v

Страна происхождения

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet IPA50R140CPXKSA1 , pdf , 605 КБ
Datasheet IPA50R140CPXKSA1 , pdf , 609 КБ

IPA50R140CPXKSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 500В, 23А, 34Вт, Ugs ±20В - характеристики, поставщики

Последняя цена 580 руб.

Техническая документация