IPA180N10N3 G ТРАНЗИСТОР, MOSFET N-CHANNEL 100V 28A OPTIMOS TO220, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 140 руб.

Сравнить

Описание

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, 100 В и более

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPA180N10N3 G ТРАНЗИСТОР

P/N

IPA180N10N3 G

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1815527

Технические параметры

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Package Type

TO-220FP

Transistor Material

Length

10.65mm

Brand

Infineon

Series

OptiMOS 3

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

19 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Through Hole

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

28 A

Maximum Power Dissipation

30 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4.85mm

Height

16.15mm

Maximum Drain Source Resistance

33 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Forward Diode Voltage

1.2V

Техническая документация

Datasheet IPA180N10N3 G , pdf , 319 КБ

IPA180N10N3 G ТРАНЗИСТОР, MOSFET N-CHANNEL 100V 28A OPTIMOS TO220 - характеристики, поставщики

Последняя цена 140 руб.

Техническая документация