IPA093N06N3GXKSA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 43 А, 0.0078 Ом, TO-220FP, Through Hole, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 240 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

N-Channel 60V 43A (Tc) 33W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31 Полный пакет

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPA093N06N3GXKSA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2399639

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

to-220fp

Рассеиваемая Мощность

33Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

60В

Непрерывный Ток Стока

43А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.0078Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

3В

Transistor Mounting

Through Hole

Вес, г

4.43

Линейка Продукции

OptiMOS 3 Series

Series

OptiMOSв„ў ->

Base Product Number

IPA093 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

43A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3900pF @ 30V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

Power Dissipation (Max)

33W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.3mOhm @ 40A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO220-3-31 Full Pack

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 34ВµA

Техническая документация

Datasheet IPA093N06N3GXKSA1 , pdf , 500 КБ

IPA093N06N3GXKSA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 43 А, 0.0078 Ом, TO-220FP, Through Hole - характеристики, поставщики

Последняя цена 240 руб.

Техническая документация