IPA086N10N3GXKSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 100В, 45А, 37,5Вт, TO220FP, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 87 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, 100 В и более

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPA086N10N3GXKSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2141431

Технические параметры

Вес, г

2.18

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.65mm

Brand

Infineon

Mounting Type

Through Hole

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

16.15mm

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Channel Type

Transistor Configuration

Single

Package Type

TO-220FP

Width

4.85mm

Pin Count

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

45 A

Maximum Power Dissipation

37.5 W

Series

OptiMOS 3

Maximum Drain Source Resistance

15.4 mΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

42 nC @ 10 V

Transistor Material

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Forward Diode Voltage

1.2V

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Техническая документация

Datasheet IPA086N10N3GXKSA1 , pdf , 530 КБ

IPA086N10N3GXKSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 100В, 45А, 37,5Вт, TO220FP - характеристики, поставщики

Последняя цена 87 руб.

Техническая документация