ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IMZ120R030M1HXKSA1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 56 А, 1.2 кВ, 0.03 Ом, TO-247 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IMZ120R030M1HXKSA1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 56 А, 1.2…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IMZ120R030M1HXKSA1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 56 А, 1.2 кВ, 0.03 Ом, TO-247
Последняя цена
3540 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IMZ120R030M1HXKSA1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1251169
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
175 C
Количество Выводов
4вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
to-247
Рассеиваемая Мощность
227Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
1.2кВ
Непрерывный Ток Стока
56А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.03Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
18В
Пороговое Напряжение Vgs
4.5В
Вес, г
1
MOSFET Configuration
single
Линейка Продукции
CoolSiC Series
Техническая документация
Datasheet IMZ120R030M1HXKSA1 , pdf
, 1218 КБ