IMW65R048M1HXKSA1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 39 А, 650 В, 0.048 Ом, TO-247, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2680 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

МОП-транзистор SILICON CARBIDE МОП-транзистор

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IMW65R048M1HXKSA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1251162

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TO-247

Рассеиваемая Мощность

125Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

650В

Непрерывный Ток Стока

39А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.048Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

18В

Пороговое Напряжение Vgs

4.5В

Вес, г

MOSFET Configuration

Single

Линейка Продукции

CoolSiC M1 Series

Минимальная рабочая температура

55 C

Base Product Number

IMW65R048 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

39A (Tc)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Package

Tube

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Id - непрерывный ток утечки

39 A

Pd - рассеивание мощности

125 W

Qg - заряд затвора

33 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

64 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

650 V

Vgs - напряжение затвор-исток

5 V, + 23 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

5.7 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

12.4 ns

Время спада

11.4 ns

Другие названия товара №

IMW65R048M1H SP005398439

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

CoolSiC

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

240

Серия

IMW65R048

Технология

SiC

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

15.4 ns

Типичное время задержки при включении

14.6 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TO-247-3

Упаковка

Tube

Техническая документация

Datasheet IMW65R048M1HXKSA1 , pdf , 1470 КБ
Datasheet IMW65R048M1HXKSA1 , pdf , 1399 КБ

IMW65R048M1HXKSA1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 39 А, 650 В, 0.048 Ом, TO-247 - характеристики, поставщики

Последняя цена 2680 руб.

Техническая документация