ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IMW65R027M1HXKSA1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 47 А, 650 В, 0.027 Ом, TO-247 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IMW65R027M1HXKSA1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 47 А, 650…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IMW65R027M1HXKSA1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 47 А, 650 В, 0.027 Ом, TO-247
Последняя цена
3990 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IMW65R027M1HXKSA1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1251161
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-247
Рассеиваемая Мощность
189Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
650В
Непрерывный Ток Стока
47А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.027Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
18В
Пороговое Напряжение Vgs
4.5В
Transistor Mounting
Through Hole
Вес, г
1
MOSFET Configuration
Single
Линейка Продукции
CoolSiC M1 Series
Base Product Number
IMW65R027 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
47A (Tc)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Package
Tube
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Техническая документация
Datasheet IMW65R027M1HXKSA1 , pdf
, 1460 КБ