IMW120R350M1HXKSA1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 4.7 А, 1.2 кВ, 0.35 Ом, TO-247, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1230 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

МОП-транзистор SIC DISCRETE

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IMW120R350M1HXKSA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1251160

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

to-247

Рассеиваемая Мощность

60Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

1.2кВ

Непрерывный Ток Стока

4.7А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.35Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

18В

Пороговое Напряжение Vgs

4.5В

Вес, г

MOSFET Configuration

single

Линейка Продукции

CoolSiC Series

Series

CoolSiCв„ў ->

Минимальная рабочая температура

55 C

Base Product Number

IMW120 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

4.7A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1.2kV

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

15V, 18V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.3nC @ 18V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

182pF @ 800V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

Not Applicable

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

Power Dissipation (Max)

60W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

455mOhm @ 2A, 18V

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO247-3-41

Technology

SiCFET (Silicon Carbide)

Vgs (Max)

+23V, -7V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.7V @ 1mA

Id - непрерывный ток утечки

4.7 A

Pd - рассеивание мощности

60 W

Qg - заряд затвора

5.3 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

455 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

1.2 kV

Vgs - напряжение затвор-исток

7 V, + 23 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

5.7 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

0.7 ns

Время спада

21.5 ns

Другие названия товара №

IMW120R350M1H SP001808376

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

CoolSiC

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

1 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

240

Серия

IMW120R350

Технология

SiC

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

11.4 ns

Типичное время задержки при включении

7 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TO-247-3

Упаковка

Tube

Техническая документация

Datasheet IMW120R350M1HXKSA1 , pdf , 1267 КБ
Datasheet IMW120R350M1HXKSA1 , pdf , 1116 КБ
Datasheet IMW120R350M1HXKSA1 , pdf , 1215 КБ

IMW120R350M1HXKSA1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 4.7 А, 1.2 кВ, 0.35 Ом, TO-247 - характеристики, поставщики

Последняя цена 1230 руб.

Техническая документация