IMW120R090M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 608 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор SIC DISCRETE

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IMW120R090M1HXKSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2088439

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

6.51

Mounting Type

Through Hole

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

240

Серия

IMW120RXM1H

Торговая марка

Infineon Technologies

Id - непрерывный ток утечки

26 A

Pd - рассеивание мощности

115 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

1.2 kV

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

5 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-247-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

IMW120 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

1.2kV

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

Not Applicable

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO247-3-41

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

SiC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

117 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

7 V, + 23 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

5.7 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

26A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

15V, 18V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

707pF @ 800V

Power Dissipation (Max)

115W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

117mOhm @ 8.5A, 18V

Technology

SiCFET (Silicon Carbide)

Vgs (Max)

+23V, -7V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.7V @ 3.7mA

Series

CoolSiCв„ў ->

Qg - заряд затвора

21 nC

Время нарастания

4 ns

Время спада

12.6 ns

Коммерческое обозначение

CoolSiC

Типичное время задержки выключения

11.5 ns

Типичное время задержки при включении

5.2 ns

Другие названия товара №

IMW120R090M1H SP001946164

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 18V

Техническая документация

Datasheet IMW120R090M1HXKSA1 , pdf , 1121 КБ
Datasheet IMW120R090M1HXKSA1 , pdf , 1174 КБ
Datasheet IMW120R090M1HXKSA1 , pdf , 1115 КБ

IMW120R090M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET - характеристики, поставщики

Последняя цена 608 руб.

Техническая документация