IMW120R045M1XKSA1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 52 А, 1.2 кВ, 0.045 Ом, TO-247, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2900 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

N-канал 1,2 кВ 52A (Tc) 228W (Tc) сквозное отверстие PG-TO247-3-41

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IMW120R045M1XKSA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1251158

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

to-247

Рассеиваемая Мощность

228Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

1.2кВ

Непрерывный Ток Стока

52А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.045Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

15В

Пороговое Напряжение Vgs

4.5В

Вес, г

0.4

MOSFET Configuration

single

Линейка Продукции

CoolSiC Series

Series

CoolSiCв„ў ->

Base Product Number

IMW120 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

52A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1.2kV

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

15V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

52nC @ 15V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1.9nF @ 800V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

Not Applicable

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

Power Dissipation (Max)

228W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

59mOhm @ 20A, 15V

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO247-3-41

Technology

SiCFET (Silicon Carbide)

Vgs (Max)

+20V, -10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.7V @ 10mA

Техническая документация

Datasheet IMW120R045M1XKSA1 , pdf , 1381 КБ
Datasheet IMW120R045M1XKSA1 , pdf , 1394 КБ

IMW120R045M1XKSA1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 52 А, 1.2 кВ, 0.045 Ом, TO-247 - характеристики, поставщики

Последняя цена 2900 руб.

Техническая документация