ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IMW120R030M1HXKSA1, Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A Tube - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IMW120R030M1HXKSA1, Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A Tube
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IMW120R030M1HXKSA1, Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A Tube
Последняя цена
4790 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IMW120R030M1HXKSA1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1739881
Технические параметры
Максимальный непрерывный ток стока
56 А
Количество элементов на ИС
1
Brand
Infineon
Максимальное сопротивление сток-исток
0.056 O
Максимальное напряжение сток-исток
1200 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Серия
CoolSiC
Тип корпуса
PG-TO247-3
Материал транзистора
SiC
Число контактов
3
Максимальное пороговое напряжение включения
5.7V
Техническая документация
Datasheet IMW120R030M1HXKSA1 , pdf
, 1116 КБ
Datasheet IMW120R030M1HXKSA1 , pdf
, 1127 КБ