IMH1AT110, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Двойной NPN, 50 В, 100 мА, 22 кОм, 22 кОм, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 66 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\С Предварительным Смещением / Цифровые Биполярные Транзисторы

Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 2 NPN - с предварительным смещением (двойной) 50 В 100 мА 250 МГц 300 мВт SMT6 для поверхностного монтажа

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

IMH1AT110

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1251072

Технические параметры

Количество Выводов

6 Выводов

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

50в

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.04

Base Product Number

IMH1AT110 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

500nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

56 @ 5mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

250MHz

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-74, SOT-457

Power - Max

300mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SMT6

Transistor Type

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500ВµA, 10mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V

Линейка Продукции

IMH1A Series

Корпус РЧ Транзистора

SOT-457

Simulation Models

http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1179 КБ
Datasheet IMH1AT110 , pdf , 66 КБ

IMH1AT110, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Двойной NPN, 50 В, 100 мА, 22 кОм, 22 кОм - характеристики, поставщики

Последняя цена 66 руб.

Техническая документация