ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IMBG120R350M1HXTMA1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 4.7 А, 1.2 кВ, 0.35 Ом, TO-263 (D2PAK) - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IMBG120R350M1HXTMA1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 4.7 А, 1…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IMBG120R350M1HXTMA1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 4.7 А, 1.2 кВ, 0.35 Ом, TO-263 (D2PAK)
Последняя цена
1390 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) SIC DISCRETE
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IMBG120R350M1HXTMA1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1250968
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
175 C
Количество Выводов
7вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-263 (D2PAK)
Рассеиваемая Мощность
65Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
1.2кВ
Непрерывный Ток Стока
4.7А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.35Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
18В
Пороговое Напряжение Vgs
4.5В
Вес, г
0.6
MOSFET Configuration
Single
Линейка Продукции
CoolSiC Series
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Другие названия товара №
IMBG120R350M1H SP004463802
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение
CoolSiC
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
CoolSiC Mosfet
Технология
SiC
Тип продукта
IGBT Transistors
Торговая марка
Infineon Technologies