ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IKZ75N65ES5, Транзистор IGBT, 650В, 80А, 197Вт, TO247-4 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IKZ75N65ES5, Транзистор IGBT, 650В, 80А, 197Вт, TO247-4
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IKZ75N65ES5, Транзистор IGBT, 650В, 80А, 197Вт, TO247-4
Последняя цена
1270 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT THT
TRENCHSTOPTM 5 high speed soft switching IGBT copacked with full current rated RAPID 1 fast and soft
Корпус TO2474, Напряжение К-Э максимальное 650 В, Ток коллектора максимальный при 25°C 80 А, Напряжение насыщения К-Э 1.75 В, Максимальная мощность 395 Вт, Заряд затвора 164 нКл, Тип входа стандартный
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IKZ75N65ES5XKSA1
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
2080586
Технические параметры
Base Product Number
IKZ75N65 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-4
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
PG-TO247-4
Минимальная рабочая температура
40 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
+/- 20 V
Current - Collector (Ic) (Max)
80A
Current - Collector Pulsed (Icm)
300A
Gate Charge
164nC
Power - Max
395W
Switching Energy
1.3mJ (on), 1.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C
46ns/405ns
Test Condition
400V, 15A, 22.3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.75V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650V
Reverse Recovery Time (trr)
72ns
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
IGBT Type
Trench
Конфигурация
Single
Вес, г
6.51
Pd - рассеивание мощности
395 W
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.42 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
80 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.
80 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
240
Тип продукта
IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер
100 nA
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-247-4
Другие названия товара №
IKZ75N65ES5 SP001602592
Серия
TRENCHSTOP 5 S5
Series
TrenchStopв„ў 5 ->
Коммерческое обозначение
TRENCHSTOP
Техническая документация
Datasheet IKZ75N65ES5XKSA1 , pdf
, 1428 КБ