ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IKZ50N65ES5XKSA1, IGBT - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IKZ50N65ES5XKSA1, IGBT
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IKZ50N65ES5XKSA1, IGBT
Последняя цена
530 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
TRENCHSTOP 5 soft switching IGBT
Корпус TO2474, Напряжение К-Э максимальное 650 В, Ток коллектора максимальный при 25°C 80 А, Напряжение насыщения К-Э 1.7 В, Максимальная мощность 274 Вт, Заряд затвора 120 нКл, Тип входа стандартный
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IKZ50N65ES5XKSA1
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1249804
Технические параметры
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Brand
Infineon
Base Product Number
IKZ50N65 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Operating Temperature
-40В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-4
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
PG-TO247-4
Energy Rating
1.65
Pin Count
4
Switching Speed
40кГц
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
650 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
80 A
Максимальное рассеяние мощности
274 Вт
Номинальная энергия
1.65
Минимальная рабочая температура
-40 C
Число контактов
4
Размеры
15.9 x 5.1 x 22.5мм
Скорость переключения
40кГц
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±30V
Емкость затвора
3100пФ
Current - Collector (Ic) (Max)
80A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200A
Gate Charge
120nC
Power - Max
274W
Switching Energy
770ВµJ (on), 880ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C
36ns/294ns
Test Condition
400V, 25A, 23.1Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.7V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650V
Тип канала
P
Reverse Recovery Time (trr)
62ns
Максимальная рабочая температура
+175 C
IGBT Type
Trench
Конфигурация
Single
Количество транзисторов
1
Number of Transistors
1
Pd - рассеивание мощности
274 W
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.35 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
80 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.
80 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
240
Тип продукта
IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер
100 nA
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-247-4
Другие названия товара №
IKZ50N65ES5 SP001636074
Серия
TRENCHSTOP 5 S5
Технология
Si
Series
TrenchStopв„ў 5 ->
Коммерческое обозначение
TRENCHSTOP
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1681 КБ
Datasheet , pdf
, 376 КБ
Datasheet IKZ50N65ES5XKSA1 , pdf
, 1843 КБ
Datasheet IKZ50N65ES5XKSA1 , pdf
, 1771 КБ
