ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IKY50N120CH3XKSA1, IGBT - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IKY50N120CH3XKSA1, IGBT
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IKY50N120CH3XKSA1, IGBT
Последняя цена
1280 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) INDUSTRY 14
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IKY50N120CH3XKSA1
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1249803
Технические параметры
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Brand
Infineon
Base Product Number
IKY50N120 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-4
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
PG-TO247-4
Maximum Continuous Collector Current
100 А
Dimensions
15.9 x 5.1 x 22.5мм
Maximum Gate Emitter Voltage
±30V
Gate Capacitance
3269пФ
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
100 А
Максимальное рассеяние мощности
652 Вт
Номинальная энергия
4.2
Минимальная рабочая температура
-40 C
Число контактов
4
Скорость переключения
60кГц
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±30V
Емкость затвора
3269пФ
Current - Collector (Ic) (Max)
100A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200A
Gate Charge
235nC
Power - Max
652W
Switching Energy
2.3mJ (on), 1.9mJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C
32ns/296ns
Test Condition
600V, 50A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.35V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Тип канала
P
Reverse Recovery Time (trr)
255ns
Максимальная рабочая температура
+175 C
Конфигурация
Single
Количество транзисторов
1
Pd - рассеивание мощности
652 W
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
2 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
100 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.
100 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
240
Тип продукта
IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер
100 nA
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO247-4-2
Другие названия товара №
IKY50N120CH3 SP001465126
Серия
IGBT HighSpeed 3
Технология
Si
Коммерческое обозначение
TRENCHSTOP
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1681 КБ
Datasheet , pdf
, 376 КБ
Datasheet IKY50N120CH3XKSA1 , pdf
, 2022 КБ
Datasheet IKY50N120CH3XKSA1 , pdf
, 1554 КБ
