IKW75N65ES5XKSA1, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.42 В, 395 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов), Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1000 руб.

Сравнить

Описание

IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, 600 и 650 В
Линейка IGBT-транзисторов Infineon с номинальным напряжением коллектор-эмиттер 600 и 650 В с технологией TrenchStop ™. Ассортимент включает устройства со встроенным высокоскоростным антипараллельным диодом с быстрым восстановлением.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IKW75N65ES5XKSA1

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1812962

Технические параметры

Максимальная рабочая температура

175 C

Вес, г

4.43

DC Ток Коллектора

80А

Напряжение Коллектор-Эмиттер

650В

Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)

1.42В

Рассеиваемая Мощность

395Вт

Стиль Корпуса Транзистора

to-247

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Линейка Продукции

TRENCHSTOP(TM) 5 Series

IKW75N65ES5XKSA1, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.42 В, 395 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов) - характеристики, поставщики

Последняя цена 1000 руб.