ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IKW50N65WR5XKSA1, IGBT - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IKW50N65WR5XKSA1, IGBT
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IKW50N65WR5XKSA1, IGBT
Последняя цена
220 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, 600 и 650 В
Линейка IGBT-транзисторов Infineon с номинальным напряжением коллектор-эмиттер 600 и 650 В с технологией TrenchStop ™. Ассортимент включает устройства со встроенным высокоскоростным антипараллельным диодом с быстрым восстановлением.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IKW50N65WR5XKSA1
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1249802
Технические параметры
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Brand
Infineon
Base Product Number
IKW50N65 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Operating Temperature
-40В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
16.13mm
Maximum Collector Emitter Voltage
650 В
Maximum Continuous Collector Current
80 А
Energy Rating
1.06mJ
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Height
21.1mm
Pin Count
3
Switching Speed
60kHz
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Channel Type
N
Gate Capacitance
6140pF
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальный непрерывный ток коллектора
80 А
Максимальное рассеяние мощности
282 W
Минимальная рабочая температура
40 C
Число контактов
3
Размеры
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Емкость затвора
6140пФ
Current - Collector (Ic) (Max)
80A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150A
Gate Charge
230nC
Power - Max
282W
Switching Energy
840ВµJ (on), 220ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C
45ns/417ns
Test Condition
400V, 25A, 16Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650V
Тип канала
N
Reverse Recovery Time (trr)
110ns
Максимальная рабочая температура
+175 °C
IGBT Type
Trench
Ширина
5.21mm
Конфигурация
Single
Количество транзисторов
1
Number of Transistors
1
Pd - рассеивание мощности
282 W
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.4 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
80 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
240
Тип продукта
IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер
100 nA
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-247-3
Другие названия товара №
IKW50N65WR5 SP001215522
Серия
TRENCHSTOP 5 WR5
Технология
Si
Series
TrenchStopв„ў ->
Коммерческое обозначение
TRENCHSTOP
Техническая документация
Datasheet IKW50N65WR5XKSA1 , pdf
, 1914 КБ
Datasheet IKW50N65WR5XKSA1 , pdf
, 148 КБ
Datasheet IKW50N65WR5XKSA1 , pdf
, 2051 КБ
