IKQ40N120CH3XKSA1, P-Channel IGBT, 80 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 910 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors

Корпус TO-247-3, Напряжение К-Э максимальное 1.2 кВ, Ток коллектора максимальный при 25°C 80 А, Напряжение насыщения К-Э 2.35 В, Максимальная мощность 500 Вт, Заряд затвора 190 нКл, Тип входа стандартный

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IKQ40N120CH3XKSA1

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1249787

Технические параметры

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Brand

Infineon

Base Product Number

IKQ40N120 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Input Type

Standard

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Operating Temperature

-40В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO247-3-46

Maximum Power Dissipation

500 Вт

Dimensions

15.9 x 5.1 x 21.1мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальный непрерывный ток коллектора

80 А

Максимальное рассеяние мощности

500 Вт

Номинальная энергия

4.6

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Число контактов

Скорость переключения

60кГц

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±30V

Емкость затвора

2385пФ

Current - Collector (Ic) (Max)

80A

Current - Collector Pulsed (Icm)

160A

Gate Charge

190nC

Power - Max

500W

Switching Energy

3.3mJ (on), 1.3mJ (off)

Td (on/off) @ 25В°C

30ns/300ns

Test Condition

400V, 40A, 12Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 40A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

1200V

Тип канала

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Количество транзисторов

Number of Transistors

IKQ40N120CH3XKSA1, P-Channel IGBT, 80 A 1200 V, 3-Pin TO-247 - характеристики, поставщики

Последняя цена 910 руб.