ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IKQ120N60TXKSA1 IGBT транзистор IKQ120N60T SP001138292 INF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IKQ120N60TXKSA1 IGBT транзистор IKQ120N60T SP001138292 INF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IKQ120N60TXKSA1 IGBT транзистор IKQ120N60T SP001138292 INF
Последняя цена
830 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы импортные
Примечание: !
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IKQ120N60TXKSA1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2069642
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 175 C
Series
TrenchStopв„ў ->
Минимальная рабочая температура
40 C
Base Product Number
IKQ120 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
PG-TO247-3-46
Power - Max
833W
Pd - рассеивание мощности
833 W
Вид монтажа
Through Hole
Другие названия товара №
IKQ120N60T SP001138292
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение
TRENCHSTOP
Конфигурация
Single
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
240
Серия
Trenchstop IGBT
Технология
Si
Тип продукта
IGBT Transistors
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка / блок
TO-247-3
Упаковка
Tube
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
20 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
160 A
Ток утечки затвор-эмиттер
100 nA
Current - Collector (Ic) (Max)
160A
IGBT Type
Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 120A
Current - Collector Pulsed (Icm)
480A
Gate Charge
703nC
Input Type
Standard
Reverse Recovery Time (trr)
241ns
Switching Energy
6.2mJ (on), 5.9mJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C
50ns/565ns
Test Condition
400V, 120A, 3Ohm, 15V
Техническая документация
Datasheet IKQ120N60TXKSA1 , pdf
, 1912 КБ
Datasheet IKQ120N60TXKSA1 , pdf
, 1840 КБ
