IKFW50N60ETXKSA1, Транзистор IGBT, 600В, 59А, 120Вт, PG-TO247-3-AI, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 900 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT THT

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) INDUSTRY 14

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IKFW50N60ETXKSA1

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

2175057

Технические параметры

Минимальная рабочая температура

40 C

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

20 V

Максимальная рабочая температура

+ 175 C

Конфигурация

Single

Вес, г

6.51

Pd - рассеивание мощности

164 W

Вид монтажа

Through Hole

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

600 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.5 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

73 A

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.

73 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

240

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

100 nA

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-247-3

Другие названия товара №

IKFW50N60ET SP001672368

Серия

Trenchstop IGBT3

Технология

Коммерческое обозначение

TRENCHSTOP

Техническая документация

Datasheet IKFW50N60ETXKSA1 , pdf , 1948 КБ

IKFW50N60ETXKSA1, Транзистор IGBT, 600В, 59А, 120Вт, PG-TO247-3-AI - характеристики, поставщики

Последняя цена 900 руб.

Техническая документация