ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IKFW50N60DH3E, Транзистор IGBT, 600В, 37А, 95Вт, PG-TO247-3-AI, TRENCHSTOP™ - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IKFW50N60DH3E, Транзистор IGBT, 600В, 37А, 95Вт, PG-TO247-3-AI, TRENCH…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IKFW50N60DH3E, Транзистор IGBT, 600В, 37А, 95Вт, PG-TO247-3-AI, TRENCHSTOP™
Последняя цена
880 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT THT
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HOME APPLIANCES 14
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IKFW50N60DH3EXKSA1
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
2181428
Технические параметры
Base Product Number
IKFW50 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
PG-TO247-3-AI
Минимальная рабочая температура
40 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
30 V
Current - Collector (Ic) (Max)
40A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120A
Gate Charge
160nC
Power - Max
130W
Switching Energy
1.28mJ (on), 560ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C
21ns/174ns
Test Condition
400V, 40A, 8Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Reverse Recovery Time (trr)
64ns
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
IGBT Type
Trench Field Stop
Конфигурация
Single
Вес, г
6
Pd - рассеивание мощности
130 W
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
2.2 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
40 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.
60 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
240
Тип продукта
IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер
100 nA
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO247-3
Другие названия товара №
IKFW50N60DH3E SP001502656
Серия
Trenchstop High Speed 3
Технология
Si
Series
TrenchStopв„ў ->
Коммерческое обозначение
TRENCHSTOP
Техническая документация
Datasheet IKFW50N60DH3EXKSA1 , pdf
, 1999 КБ
Datasheet IKFW50N60DH3EXKSA1 , pdf
, 1927 КБ