IKB20N65EH5ATMA1, Транзистор IGBT, 650В, 25А, 62,5Вт, D2PAK, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 630 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT SMD

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) INDUSTRY 14

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IKB20N65EH5ATMA1

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

2086472

Технические параметры

Минимальная рабочая температура

40 C

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

20 V

Максимальная рабочая температура

+ 175 C

Конфигурация

Single

Вес, г

0.5

Pd - рассеивание мощности

125 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

650 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.65 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

38 A

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.

38 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

1000

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

100 nA

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка

Reel, Cut Tape

Упаковка / блок

TO-263-3

Другие названия товара №

IKB20N65EH5 SP001502642

Серия

Trenchstop IGBT5

Технология

Коммерческое обозначение

TRENCHSTOP

Техническая документация

Datasheet IKB20N65EH5ATMA1 , pdf , 1563 КБ
Datasheet IKB20N65EH5ATMA1 , pdf , 1494 КБ

IKB20N65EH5ATMA1, Транзистор IGBT, 650В, 25А, 62,5Вт, D2PAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 630 руб.

Техническая документация