ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IHW40N60RFFKSA1, IGBT - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IHW40N60RFFKSA1, IGBT
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IHW40N60RFFKSA1, IGBT
Последняя цена
530 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, 600 и 650 В
Линейка IGBT-транзисторов Infineon с номинальным напряжением коллектор-эмиттер 600 и 650 В с технологией TrenchStop ™. Ассортимент включает устройства со встроенным высокоскоростным антипараллельным диодом с быстрым восстановлением.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IHW40N60RFFKSA1
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1249676
Технические параметры
Производитель
Infineon
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Transistor Configuration
Одинарный
Energy Rating
0.79mJ
Длина
16.13мм
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
80 A
Максимальное рассеяние мощности
305 W
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Высота
21.1мм
Число контактов
3
Размеры
16.13 x 5.21 x 21.1мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Емкость затвора
2400пФ
Тип канала
N
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Ширина
5.21мм
Вес, г
6.5
Техническая документация
Datasheet IHW40N60RFFKSA1 , pdf
, 2030 КБ
