IHW30N135R3FKSA1, IGBT, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 500 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors

IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, от 1100 до 1600 В
Линейка IGBT-транзисторов от Infineon с номинальным напряжением коллектор-эмиттер от 1100 до 1600 В с технологией TrenchStop ™. Ассортимент включает устройства со встроенным высокоскоростным антипараллельным диодом с быстрым восстановлением.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IHW30N135R3FKSA1

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1249672

Технические параметры

Производитель

Infineon

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Brand

Infineon

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Continuous Collector Current

30 A

Maximum Power Dissipation

349 Вт

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Channel Type

Gate Capacitance

2066пФ

Длина

16.13мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1350 В

Максимальный непрерывный ток коллектора

30 A

Максимальное рассеяние мощности

349 Вт

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Высота

21.1мм

Число контактов

Размеры

16.13 x 5.21 x 21.1мм

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Емкость затвора

2066пФ

Тип канала

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

5.21мм

Вес, г

Техническая документация

Datasheet IHW30N135R3FKSA1 , pdf , 2046 КБ

IHW30N135R3FKSA1, IGBT - характеристики, поставщики

Последняя цена 500 руб.

Техническая документация