IHW30N120R5XKSA1 IGBT транзистор IHW30N120R5 SP001607184 INF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 320 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы импортные

Примечание: !

IGBT транзистор TRENCHSTOP 5 поколения 1200 В, 30 А с обратно параллельным диодом в корпусе ТО-247-3.

Характеристики:

Напряжение коллектор-эмиттер: 1200 В;

Ток коллектора: 30 А;

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.55 В;

Максимальное напряжение затвор-эмиттер: ±20 В;

Ток коллектора при 25°С: 60 A;

Рассеивамаяе мощность: 330 Вт;

Ток утечки затвор-эмиттер: 100 нА;

Заряд затвора: 235 нКл;

Рабочая температура: -40...+175 °C;

Корпус: TO-247-3

Корпус TO-247-3

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IHW30N120R5XKSA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2070377

Техническая документация

Datasheet IHW30N120R5XKSA1 , pdf , 1667 КБ

IHW30N120R5XKSA1 IGBT транзистор IHW30N120R5 SP001607184 INF - характеристики, поставщики

Последняя цена 320 руб.

Техническая документация