ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IHW30N110R3FKSA1, IGBT - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IHW30N110R3FKSA1, IGBT
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IHW30N110R3FKSA1, IGBT
Последняя цена
430 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, от 1100 до 1600 В
Линейка IGBT-транзисторов от Infineon с номинальным напряжением коллектор-эмиттер от 1100 до 1600 В с технологией TrenchStop ™. Ассортимент включает устройства со встроенным высокоскоростным антипараллельным диодом с быстрым восстановлением.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IHW30N110R3FKSA1
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1249671
Технические параметры
Производитель
Infineon
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Brand
Infineon
Base Product Number
IHW30N110 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Collector Emitter Voltage
1100 В
Energy Rating
1.8mJ
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Pin Count
3
Channel Type
N
Gate Capacitance
1460пФ
Длина
16.13мм
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1100 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
60 A
Максимальное рассеяние мощности
333 Вт
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Высота
21.1мм
Число контактов
3
Размеры
16.13 x 5.21 x 21.1мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Емкость затвора
1460пФ
Current - Collector (Ic) (Max)
60A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90A
Gate Charge
180nC
Power - Max
333W
Switching Energy
1.15mJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C
-/350ns
Test Condition
600V, 30A, 15Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.75V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1100V
Тип канала
N
Максимальная рабочая температура
+175 °C
IGBT Type
Trench
Ширина
5.21мм
Конфигурация
Single
Вес, г
1.25
Pd - рассеивание мощности
333 W
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
1100 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.55 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
60 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
240
Тип продукта
IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер
100 nA
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-247-3
Другие названия товара №
IHW30N110R3 IHW3N11R3XK SP000702510
Серия
RC
Технология
Si
Коммерческое обозначение
TRENCHSTOP
Техническая документация
Datasheet IHW30N110R3FKSA1 , pdf
, 2045 КБ
