IGW75N60H3, Транзистор БТИЗ, 600В, 75А, 428Вт, PG-TO247-3, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 890 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT THT

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IGW75N60H3

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

2199564

Технические параметры

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Brand

Infineon

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальный непрерывный ток коллектора

75 A

Максимальное рассеяние мощности

428 Вт

Номинальная энергия

6.2mJ

Минимальная рабочая температура

40 C

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

20 V

Емкость затвора

4620пФ

Тип канала

Максимальная рабочая температура

+ 175 C

Конфигурация

Single

Вес, г

6.17

Pd - рассеивание мощности

428 W

Вид монтажа

Through Hole

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

600 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.85 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

140 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

240

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

100 nA

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-247-3

Другие названия товара №

IGW75N6H3XK SP000906804 IGW75N60H3FKSA1

Серия

HighSpeed 3

Технология

Коммерческое обозначение

TRENCHSTOP

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet IGW75N60H3FKSA1 , pdf , 1587 КБ
Datasheet IGW75N60H3 , pdf , 463 КБ

IGW75N60H3, Транзистор БТИЗ, 600В, 75А, 428Вт, PG-TO247-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 890 руб.

Техническая документация