IGW50N65F5, Транзистор БТИЗ, биполярный, 650В, 80А, 270Вт, PG-TO247-3, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 600 руб.

Сравнить

Описание

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IGW50N65F5

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2179431

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Вес, г

6.16

Pd - рассеивание мощности

305 W

Вид монтажа

Through Hole

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Конфигурация

Single

Минимальная рабочая температура

40 C

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

650 V

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

240

Серия

TRENCHSTOP 5 F5

Тип продукта

IGBT Transistors

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-247-3

Другие названия товара №

SP000973426 IGW50N65F5FKSA1

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.6 V

Коммерческое обозначение

TRENCHSTOP

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

20 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

80 A

Ток утечки затвор-эмиттер

100 nA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1945 КБ

IGW50N65F5, Транзистор БТИЗ, биполярный, 650В, 80А, 270Вт, PG-TO247-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 600 руб.

Техническая документация