IGW40N65F5FKSA1, Транзистор БТИЗ, биполярный, 650В, 74А, 250Вт, PG-TO247-3, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 530 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT THT

IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, 600 и 650 В
Линейка IGBT-транзисторов Infineon с номинальным напряжением коллектор-эмиттер 600 и 650 В с технологией TrenchStop ™. Ассортимент включает устройства со встроенным высокоскоростным антипараллельным диодом с быстрым восстановлением.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IGW40N65F5FKSA1

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

2116200

Технические параметры

Производитель

Infineon

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Base Product Number

IGW40N65 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Input Type

Standard

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-40В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO247-3

Transistor Configuration

Одинарный

Energy Rating

0.46mJ

Длина

16.13мм

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 В

Максимальный непрерывный ток коллектора

40 A

Максимальное рассеяние мощности

250 Вт

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Высота

21.1мм

Число контактов

Размеры

16.13 x 5.21 x 21.1мм

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Емкость затвора

2500пФ

Current - Collector (Ic) (Max)

74A

Current - Collector Pulsed (Icm)

120A

Gate Charge

95nC

Power - Max

255W

Switching Energy

360ВµJ (on), 100ВµJ (off)

Td (on/off) @ 25В°C

19ns/160ns

Test Condition

400V, 20A, 15Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

650V

Тип канала

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

5.21мм

Конфигурация

Single

Вес, г

6.15

Pd - рассеивание мощности

250 W

Вид монтажа

Through Hole

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

650 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.6 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

74 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

240

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

100 nA

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-247-3

Другие названия товара №

IGW40N65F5 SP000973424

Серия

TRENCHSTOP 5 F5

Технология

Series

TrenchStopВ® ->

Коммерческое обозначение

TRENCHSTOP

Техническая документация

Datasheet , pdf , 2304 КБ
Datasheet IGW40N65F5FKSA1 , pdf , 2485 КБ

IGW40N65F5FKSA1, Транзистор БТИЗ, биполярный, 650В, 74А, 250Вт, PG-TO247-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 530 руб.

Техническая документация