IGW08T120, Транзистор БТИЗ, 1,2кВ, 8А, 70Вт, PG-TO247-3, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 360 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT THT

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 1200V 8A

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IGW08T120

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

2111547

Технические параметры

Длина

15.9 mm

Минимальная рабочая температура

40 C

Высота

20.9 mm

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

20 V

Максимальная рабочая температура

+ 150 C

Ширина

5.03 mm

Конфигурация

Single

Вес, г

6.16

Pd - рассеивание мощности

70 W

Вид монтажа

Through Hole

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

1200 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.7 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

16 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

240

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

100 nA

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-247-3

Другие названия товара №

IGW8T12XK SP000013937 IGW08T120FKSA1

Серия

TRENCHSTOP IGBT

Технология

Коммерческое обозначение

TRENCHSTOP

Техническая документация

Datasheet IGW08T120 , pdf , 348 КБ

IGW08T120, Транзистор БТИЗ, 1,2кВ, 8А, 70Вт, PG-TO247-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 360 руб.

Техническая документация