IGT60R190D1SATMA1, Транзистор N-JFET, CoolGaN™, полевой, 600В, 12,5А, Idm 23А, 55,5Вт, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1670 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

Корпус PGHSOF8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 12.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 190 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IGT60R190D1SATMA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2140215

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

2000

Торговая марка

Infineon Technologies

Id - непрерывный ток утечки

12.5 A

Pd - рассеивание мощности

55.5 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

PG-HSOF-8

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Reel, Cut Tape

Технология

GaN

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

190 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

0.9 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

3.2 nC

Время нарастания

5 ns

Время спада

12 ns

Коммерческое обозначение

CoolGaN

Типичное время задержки выключения

12 ns

Типичное время задержки при включении

11 ns

Другие названия товара №

SP001701702

Техническая документация

Datasheet IGT60R190D1SATMA1 , pdf , 513 КБ

IGT60R190D1SATMA1, Транзистор N-JFET, CoolGaN™, полевой, 600В, 12,5А, Idm 23А, 55,5Вт - характеристики, поставщики

Последняя цена 1670 руб.

Техническая документация