IGO60R070D1AUMA1, Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 В, 31 А, 0.055 Ом, 5.8 нКл, PG-DSO-20-85, Surface Mount - характеристики, поставщики



IGO60R070D1AUMA1, Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 В, 31 А, 0.055 Ом, 5.8 нКл, PG-DSO-20-85, Surface Mount

Последняя цена 4190 руб.
IGO60R070D1AUMA1, Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 В, 31 А, 0.055 Ом, 5.8 нКл, PG-DSO-20-85, Surface Mount

Техническая документация
  • Datasheet IGO60R070D1AUMA1 , pdf , 499 КБ