FF300R12ME4BOSA1
Производитель: Infineon Technologies
'Силовой IGBT модуль, EconoDUAL3, полумост, технология IGBT4, встроенный NTC. Технические характеристики: Напряжение К-Э: 1200 В Номина…
FF300R12KS4HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 370 А, 3.2 В, 1.95 кВт, 1.2 кВ, Module
Производитель: Infineon Technologies, FF300R12KS4HOSA1
IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 370A Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 370 А
FF200R12KS4HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 275 А, 3.2 В, 1.4 кВт, 1.2 кВ, Module
Производитель: Infineon Technologies, FF200R12KS4HOSA1
'Силовой IGBT модуль, 62 мм, полумост, технология IGBT2 FAST. Технические характеристики: Напряжение К-Э: 1200 В Номинальный ток при 25…
FF300R12KE3HOSA1, Модуль IGBT 1200V 440A 1450Вт
Производитель: Infineon Technologies, FF300R12KE3HOSA1
Модули IGBT, Infineon Модули IGBT Infineon предлагают низкие потери переключения для переключения частот…
FF150R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 150A 790Вт
Производитель: Infineon Technologies, FF150R12RT4HOSA1
Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 150 А
FF150R12KT3GHOSA1, IGBT силовой модуль
Производитель: Infineon Technologies
IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 225A Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 225 А
FF1400R12IP4BOSA1
Производитель: Infineon Technologies
Силовой IGBT-модуль в корпусе PrimePACK3; полумост с терморезистором (NTC); кристаллы IGBT-P4; 1400 А; 1200 В Кол-во ключей в модуле 2, Напр…
FF1200R12KE3NOSA1
Производитель: Infineon Technologies
Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 1.6 кА
FF1200R12IE5BPSA1
Производитель: Infineon Technologies
Модуль IGBT Trench Field Stop Half Bridge 1200V 2400A 20mW Модуль для монтажа на шасси
FF100R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 100A 555Вт
Производитель: Infineon Technologies, FF100R12RT4HOSA1
IGBT/IGBT 1200V 100A 34MM-1 Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 100 А