FF200R12KS4HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 275 А, 3.2 В, 1.4 кВт, 1.2 кВ, Module, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 13850 руб.

Сравнить

Описание

'Силовой IGBT модуль, 62 мм, полумост, технология IGBT2 FAST.
Технические характеристики:
Напряжение К-Э: 1200 В
Номинальный ток при 25°C: 200 А
Напряжение насыщения К-Э при 25°C: 3.2 В
Технология: IGBT2 FAST
Конфигурация: полумост
Корпус: 62 мм'
Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 275 А

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

FF200R12KS4HOSA1

Категория

IGBT

Номенклатурный номер

1766160

Технические параметры

Вес, г

363.4

Структура

полумост

Максимальное напряжение КЭ ,В

1200

Максимальный ток КЭ при 25°C, A

275

Максимальная рассеиваемая мощность, Вт

1400

Рабочая температура (Tj), °C

-40…+125

Корпус

AG-62MM

Техническая документация

Infineon-FF200R12KS4-DS-v03_04-en_de , pdf , 631 КБ

FF200R12KS4HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 275 А, 3.2 В, 1.4 кВт, 1.2 кВ, Module - характеристики, поставщики

Последняя цена 13850 руб.

Техническая документация