IAUS165N08S5N029, Транзистор N-MOSFET, полевой, 80В, 165А, Idm 660А, 167Вт, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 510 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор МОП-транзистор_(75V 120V(

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IAUS165N08S5N029ATMA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2147679

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1800

Торговая марка

Infineon Technologies

Id - непрерывный ток утечки

165 A

Pd - рассеивание мощности

167 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

80 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

HSOG-8

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Reel, Cut Tape

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

4.4 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.2 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

90 nC

Время нарастания

9 ns

Время спада

29 ns

Типичное время задержки выключения

23 ns

Типичное время задержки при включении

13 ns

Другие названия товара №

IAUS165N08S5N029 SP001643350

Техническая документация

Datasheet IAUS165N08S5N029ATMA1 , pdf , 315 КБ

IAUS165N08S5N029, Транзистор N-MOSFET, полевой, 80В, 165А, Idm 660А, 167Вт - характеристики, поставщики

Последняя цена 510 руб.

Техническая документация