IAUC120N04S6L008, Транзистор N-MOSFET, OptiMOS™ 6, полевой, 40В, 120А, Idm 480А, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 610 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор OptiMOS - power МОП-транзистор for automotive applications

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IAUC120N04S6L008ATMA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2148358

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

5000

Торговая марка

Infineon Technologies

Id - непрерывный ток утечки

120 A

Pd - рассеивание мощности

150 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

40 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TDSON-8

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Reel, Cut Tape

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.1 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

16 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.2 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

140 nC

Время нарастания

6 ns

Время спада

27 ns

Коммерческое обозначение

OptiMOS

Типичное время задержки выключения

43 ns

Типичное время задержки при включении

6 ns

Другие названия товара №

IAUC120N04S6L008 SP001633598

Техническая документация

Datasheet IAUC120N04S6L008ATMA1 , pdf , 206 КБ
Datasheet IAUC120N04S6L008ATMA1 , pdf , 202 КБ

IAUC120N04S6L008, Транзистор N-MOSFET, OptiMOS™ 6, полевой, 40В, 120А, Idm 480А - характеристики, поставщики

Последняя цена 610 руб.

Техническая документация