HUF76423P3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 23А, 85Вт, TO220AB, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 62 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

Полевой МОП-транзистор UltraFET®, Fairchild Semiconductor
МОП-транзистор UItraFET® Trench сочетают в себе характеристики, обеспечивающие эталонную эффективность в приложениях преобразования энергии. Устройство способно выдерживать высокую энергию в лавинном режиме, а диод демонстрирует очень низкое время обратного восстановления и накопленный заряд. Оптимизирован для эффективности на высоких частотах, минимальном RDS (включено), низком ESR и низком общем заряде затвора и затвора Миллера.
Применения в высокочастотных преобразователях постоянного тока в постоянный, импульсных регуляторах, драйверах двигателей, переключателях низковольтной шины и мощности управление.

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

HUF76423P3

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

1247666

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Brand

ON Semiconductor

Тип корпуса

TO-220AB

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.7мм

Height

16.3мм

Maximum Drain Source Voltage

60 В

Число контактов

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 V, +16 V

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Width

4.7мм

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

800

Серия

UltraFET

Тип

MOSFET

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Длина

10.67мм

Высота

16.3мм

Размеры

10.67 x 4.7 x 16.3мм

Id - непрерывный ток утечки

35 A

Pd - рассеивание мощности

85 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

HUF76 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220-3

Производитель

ON Semiconductor

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

33 А

Максимальное рассеяние мощности

85 W

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

38 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

1060 пФ при 25 В

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

25 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

16 V, + 16 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

35A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1060pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

85W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 35A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±16V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250ВµA

Number of Elements per Chip

Series

UltraFET

Typical Gate Charge @ Vgs

28 нКл при 10 В

Maximum Gate Source Voltage

-16 В, +16 В

Qg - заряд затвора

34 nC

Время нарастания

85 ns

Время спада

76 ns

Коммерческое обозначение

UltraFET

Типичное время задержки выключения

32 нс

Типичное время задержки при включении

7 ns

Типичное время задержки включения

245 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

28 nC @ 10 V

Минимальное пороговое напряжение включения

Другие названия товара №

HUF76423P3_NL

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

35A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

85W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60V

Vgs - Gate-Source Voltage

3V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet HUF76423P3 , pdf , 790 КБ
Datasheet HUF76423P3 , pdf , 787 КБ
Datasheet , pdf , 786 КБ

HUF76423P3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 23А, 85Вт, TO220AB - характеристики, поставщики

Последняя цена 62 руб.

Техническая документация