HUF75645S3ST, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 65А, 310Вт, DPAK, UltraFET®, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 530 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор 75a 100V N-Ch UltraFET

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

HUF75645S3ST

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2154886

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

1.75

Ширина

9.65 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

800

Серия

HUF75645S3S

Тип

MOSFET

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Длина

10.67 mm

Высота

4.83 mm

Id - непрерывный ток утечки

75 A

Pd - рассеивание мощности

310 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-263-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

14 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Канальный режим

Enhancement

Время нарастания

117 ns

Время спада

97 ns

Типичное время задержки выключения

41 ns

Типичное время задержки при включении

14 ns

Другие названия товара №

HUF75645S3ST_NL

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

75A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

310W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet HUF75645S3ST , pdf , 392 КБ
Datasheet HUF75645S3ST , pdf , 764 КБ

HUF75645S3ST, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 65А, 310Вт, DPAK, UltraFET® - характеристики, поставщики

Последняя цена 530 руб.

Техническая документация