HN1B04FU-GR, Транзистор NPN / PNP, биполярный, комплементарная пара, 50/-50В, Toshiba - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 33 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Комплементарные пары транзисторов

Биполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp

Информация

Производитель

Toshiba

Артикул

HN1B04FU-GR,LF

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2110908

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 125 C

Полярность Транзистора

NPN, PNP

Вес, г

0.03

Pd - рассеивание мощности

200 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

120

Конфигурация

Dual

Максимальный постоянный ток коллектора

150 mA

Напряжение коллектор-база (VCBO)

60 V, - 50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

50 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

HN1B04

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Toshiba

Упаковка / блок

SOT-363-6

Квалификация

AEC-Q101

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

400

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

150 MHz, 120 MHz

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

100 mV

Техническая документация

Datasheet , pdf , 384 КБ

HN1B04FU-GR, Транзистор NPN / PNP, биполярный, комплементарная пара, 50/-50В - характеристики, поставщики

Последняя цена 33 руб.

Техническая документация